Straintronique d’une nouvelle phase d’InP

Denis Machon (équipe Energie), en collaboration avec des collègues de l’Institut des Nanotechnologies de Lyon, a publié un article intitulé «Pressure-dependent photoluminescence study of wurtzite InP nanowires» dans la revue Nanoletters.

Le semiconducteur InP présente généralement une phase de symétrie cubique aux conditions ambiantes. Sous la forme de nanofils, l’effet de la forme stabilise une nouvelle structure de symétrie hexagonale. La synthèse contrôlée de ces nanofils permet alors l’étude des propriétés physiques de cette nouvelle phase. Les auteurs se sont intéressés aux propriétés électroniques (bande interdite) et au couplage avec la déformation mécanique. Ils ont mesuré la photoluminescence de ces nanofils sous haute pression. Les résultats expérimentaux ont été comparés avec diverses approches théoriques et ont permis d’en valider une en particulier.

03/05/2016