Contrôle non thermique de la transition
résistive dans un dispositif Mottronique
Nonthermal control of the resistive-
switching transition in a Mottronic device
Francesco Banfi (équipe FemtoNanoOptics), en collaboration avec des collègues de Brescia, Louvain et Madrid, a publié un article intitulé "Light-assisted resistance collapse in a V2O3-based Mott-insulator device" dans la revue Physical Review Applied.
Francesco Banfi (FemtoNanoOptics team), with colleagues from Brescia, Leuven and Madrid published an article entitled "Light-assisted resistance collapse in a V2O3-based Mott-insulator device" in the journal Physical Review Applied.
Dans le cadre d’une collaboration entre l'iLM-Université Claude Bernard Lyon 1 Università Cattolica, KU Leuven, INDEA Nanocencia and CNR-Istituto Nazionale d’Ottica les chercheurs ont étudié l'effet simultané de la tension externe et de l'excitation par des impulsions lumineuses ultracourtes sur un dispositif « Mottronique » basé sur une couche mince épitaxiale de V2O3 . La transition isolant-métal dans les isolants de Mott est le mécanisme clé à la base des dispositifs électroniques appartenant à la famille Mottronics. Dans ce contexte, les auteurs ont montré que l'excitation lumineuse entraîne une baisse de résistivité volatile, qui va au-delà de l'effet combiné du laser et du chauffage Joule. Les résultats ont un impact sur le développement de protocoles pour le contrôle non thermique de la transition de commutation résistive dans des matériaux corrélés.
In the frame of a collaboration involving iLM- Université Claude Bernard Lyon 1, Università Cattolica, KU Leuven, INDEA Nanocencia and CNR-INO, scientists investigated the simultaneous effect of external voltage and excitation by ultrashort light pulses on a single Mottronic device based on a V2O3 epitaxial thin film. The insulator-to-metal transition in Mott insulators is the key mechanism for a welt of electronic devices belonging to the Mottronics family. In this context the authors showed that light excitation drives a volatile resistivity drop, which goes beyond the combined effect of laser and Joule heating. The results impact on the development of protocols for the nonthermal control of the resistive-switching transition in correlated materials.
